电子科技大学考研复试真题（电子科技大学考研复试真题及答案）

考研资讯 2024年09月07日 22:37 5 考研上岸

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我想要一些高等数学竞赛的试题及答案，谢谢了？
西安电子科技大学研究生院调剂有什么规定？
求电子电路基础试题，越简单越好？
都有那些学校考研数学是自主命题啊？

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2002电子科大高等数学竞赛试题与解答

电子科技大学考研复试真题（电子科技大学考研复试真题及答案）

一、选择题（40分，每小题4分，只有一个答案正确）.

1．设在（）上连续，且为非零偶函数，，则（B）.

（A）是偶函数；（B）是奇函数；

（C）是非奇非偶函数；（D）可能是奇函数，也可能是偶函数.

2．设在上连续，且，则……………………………………（D）.

（A）在内不一定有使；（B）对于上的一切都有；

（C）在的某个小区间上有；（D）在内至少有一点使 .

3．已知当时，的导数与为等价无穷小，则 ………………………………………………………………………………………（B）.

（A）等于0；（B）等于；（C）等于1；（D）不存在.

4．设是微分方程的满足，的解，则 ………………………………………………………………………………（B）.

（A）等于0；（B）等于1；（C）等于2；（D）不存在.

5．设直线L：，平面：，则它们的位置关系是（C）.

（A）；（B）L在上；（C）；（D）L与斜交.

6．设在全平面上有，，则保证不等式成立的条件是………………………………………………………………………………（A）.

（A），；（B），；

（C），；（D）， .

7．设S为八面体全表面上半部分的上侧，则不正确的是………（D）.

（A）；（B）；（C）；（D） .

8．设常数，则级数是……………………………（A）.

（A）条件收敛；（B）绝对收敛；（C）发散；（D）敛散性与有关

9．设A、B都是阶非零矩阵，且，则A和B的秩…………………………（D）.

（A）必有一个等于零；（B）都等于；（C）一个小于，一个等于；（D）都小于 .

10．设A是3阶可逆矩阵，且满足，（为A的伴随矩阵），则A的三个特征值是………………………………………………………………………（C）.

（A）3，3，；（B），，2；（C）3，，；（D），2，2.

二、（8分）设在的邻域具有二阶导数，且，试求，及 .

[解]

由得

（或由泰勒公式得）

三、（8分）设及，求 .

[解]

四、（8分）设函数满足与，，求，，（表示对的一阶偏导数，其他类推）.

[解]等式两端对x求导,得

. 这两个等式,对x求导得

由已知条件得 ,故解得， .

五、（8分）设向量组，，…，是齐次线性方程组的一个，向量不是方程组的解，即，试证明：向量组，，，…， .

[证]设有一组数使得 ,即

两边左乘A,得 ,

,即 , 为的

。故。

六、（10分）已知三元二次型经正交变换化为，又知，其中，为A的，求此二次型的表达式.

[解]由条件知A的特征值为，则，的特征值为， A*的特征值为，由已知是A*关于的特征向量，也就是是A关于的特征向量，设A

关于的特征向量为 , 是实对称阵，与X要正交，解出 .令，则，故

七、（8分）设S是以L为边界的光滑曲面，试求可微函数使曲面积分

与曲面S的形状无关.

[解]以L为边界任作两个光滑曲面，它们的法向量指向同一例，，记为与所围成的闭曲面，取外侧，所围立体为，则，由高斯公式得，由的任意性得 , 即解线性非齐次方程得 .

八、（10分）设一球面的方程为，从原点向球面上任一点Q处的切平面作垂线，垂足为点P，当点Q在球面上变动时，点P的轨迹形成一封闭曲面S，求此封闭曲面S所围成的立体的体积.

[解]设点Q为，则球面的切平面方程为垂线方程为代入及切平面方程得，，即（P点轨迹）.化为球坐标方程得 .

九、（10分）设函数在（）上连续，在可导，且 .

（1）求证：，，等式成立.

（2）求极限 .

[证]（1）令 , ,由中值定理得

， .

（2）由上式变形得，两边取极限，，，，， .

十、（10分）设函数在（，）连续，周期为1，且，函数在[0，1]上有连续导数，设，求证：级数收敛.

[证]由已知条件，令

则为周期为1的函数，且，

因此

= ，连续、周期，

有界，，使，有，即，

又在连续，，使，有，

故，由正项级数比较法知收敛.

西安电子科技大学研究生院调剂有什么规定？

在调剂流程中是这样规定的：我院不接收校外调剂。在拟录取名单公布前，建议参加我院复试的考生不要在“中国研招网调剂平台”上进行任何操作，待拟录取名单公布后，按照学院相关通知的指导进行必要的操作；因提前进行调剂操作被其他招生单位“待录取”的考生，我校不再列入拟录取名单，由此导致未被录取的，责任由考生自负。

已在调剂系统中同意我校“待录取”的考生，我校不再进行解锁。

求电子电路基础试题，越简单越好？

第三章逻辑门电路[题3.1] 选择题1. 三态门输出高阻状态时，是正确的说法。A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门3．以下电路中常用于总线应用的有。

A.TSL

门

B.OC

门 C.漏极开路门

D.CMOS

与非门4．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可。A.降低饱和深度 B.增加饱和深度 C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管5．TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。A.悬空 B.通过电阻2.7kΩ接电源C.通过电阻2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以。A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联7．CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是。A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽8．逻辑表达式Y=AB可以用实现。A.正或门 B.正非门 C.正与门 9．要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI 。A.＞RON B.＜ROFF

C.ROFF

＜RI＜RON D.＞ROFF10．与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为。A.CT74S肖特基系列 B. CT74LS低功耗肖特基系列C.CT74L低功耗系列 D. CT74H高速系列[题3.2] 判断题（正确打√，错误的打×）1．TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（）2．当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。（）3．普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起，否则可能会损坏器件。（）4． CMOS OD门（漏极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。（）5．CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。（）6．三态门的三种状态分别为：高电平、低电平、不高不低的电压。（）7．TTL OC门（集电极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。（） 8．一般TTL门电路的输出端可以直接相连，实现线与。（）9．两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。（）10．TTL集电极开路门输出为1时由外接电源和电阻提供输出电流。（）11．TTL OC门（集电极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。（）[题3.3] 填空题1. 集电极开路门的英文缩写为门，工作时必须外加和。2．OC门称为门，多个OC门输出端并联到一起可实现功能。3．TTL与非门电压传输特性曲线分为区、区、区、区。4.集成逻辑门电路主要有电路和电路。

5.TTL

与非门空载时输出高电平为 V，输出低电平为 V，阈值电压Vth约为 V。

6.CMOS

门电路中不用的输入端不允许。CMOS电路中通过大电阻输入端接地，相当于接；而通过电阻接Vdd，相当于接。

7.TTL

与非门是极型集成电路，由组成，电路工作在状态。

8.CMOS

逻辑门是极型集成电路，由管组成，电路工作在状态。[题3.4] 二极管门电路如图所示，已知二极管VD1、VD2导通压降为0.7V，试回答下列问题：（1）A接10V，B接0.3V时，输出VO 为多少伏？（2）A、B都接10V，VO为多少伏？（3）A接10V，B悬空，用万用表测B 端电压，VB为多少伏？（4）A接0.3V，B悬空，测VB时应为多少伏？ [题3.5] 对于如图（a）所示的各种电路及图（b）所示的输入波形，试画出F1～F4的波形。图（a）图（b）[题3.6] 某TTL反相器的主要参数为IIH=20μA，IIL=1.4mA；IOH=400μA，IOL=14mA，求它能带多少个同样的门？[题3.7] 在图（a）所示电路中，输入图（b）所示的电压波形时，试画出Y的波形，并写出逻辑表达式。图（a）图（b）[题3.8] 试说明下列各种门电路中哪些可以将输出端并联使用（输入端的状态不一定相同）（1）具有推拉式输出级的TTL门电路；（2）TTL门电路中的OC门；（3）TTL门电路的三太输出门；（4）普通的CMOS门；（5）漏极开路输出的CMOS门电路；（6）CMOS门电路的三态输出门。[题3.9] 分析如图所示CMOS门电路，哪些能正常工作，哪些不能，写出能正常工作电路输出信号的逻辑表达式。（a）（b）（c）（d）（e）（f）技能题[题3.10] 有一个车间，用红、黄两个指示灯表示3台设备的工作情况，若一台设备出现故障，则黄灯亮；若两台设备出现故障，则红灯亮；若三台设备出现故障，则红灯和黄灯同时亮。试用与非门和异或门设计一个能实现此要求的逻辑电路。[题3.11] 试用与非门设计一个A、B、C、D 4人表决电路，当表决某提案时，多数人同意，提案通过，且A、B具有同等否决权。第三章答案[题3.1] 选择题1. ABD 2. CD 3. A 4. ACD 5. ABC 6. ABD 7. ACD 8. C 9. C 10. B[题3.2] 判断题1.√ 2.√ 3.√ 4.√ 5.√ 6.× 7.√ 8.× 9. √ 10. √ 11. √[题3.3] 填空题1．OC 电源负载 2．集电极开路门线与3．饱和区转折区线性区截止区